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首页 >  分立器件晶体管2SB834
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分立器件晶体管2SB834 优势

二极管

TO-220F

会员年限:14年

长电CJ

100000

1+ 面议

2SB834

会员年限:11年

FAIRCHILD

5000

1+ 面议

单结晶体管BT33F单结晶体管BT33F

其他未分类

会员年限:20年

国产

400

1+ 面议

晶体49S 热卖

晶体振荡器、滤波器

北京军安信平电子有限公司,主要产品有恒温晶振、温补晶振、压控晶振和贴片晶振等。产品系列全,品种多,质量符合国际标准,我公司的经营宗旨遵循了“用户满意,质量满意”的经营理念,以客户的潜在需求为我们的服务标准,同时我们亦优质的工程师及专业企业经理人员,即时提供,所有您需要的快速及一流的全方位服务。在市场部配备了先进而全面的检测仪器,能为客户提供快捷而准确的技术服务。希望与广大用户建立起业务关系,共创美好的未来!详细产品价格、产品图片等产品介绍信息,您可以直接联系厂家获取所需产品的具体资料,联系时请说明是在元器件交易网看到的。公司名称:北京军安信平科技有限公司公司地址:北京海淀区知春路132号中发电子市场2楼2010联系电话:010-62568498手  机:13693210008,13520055558

会员年限:18年

NDK

100000

100+ ¥0.20

三级管2SB834

其他未分类

全新

会员年限:22年

东芝

3400

1+ 面议

晶体 322512MHZ 优势

其他未分类

全新原装

会员年限:17年

KDS

3000

1+ ¥2.00

2SB834-Y 优势

会员年限:17年

TOSHIBA

8

1+ ¥3.00

2SB834-Y

北京现货010-51601876

会员年限:15年

FSC

5000

1+ 面议

元器件HA16107P 优势

其它单片机

DIP16

会员年限:16年

HITACHI日立

2000

1+ ¥1.00

分流器10A 优势

其他未分类

会员年限:22年

100

1+ ¥30.00

晶振24

压控晶振

20pf±20ppm

会员年限:18年

晶泰

50

1+ 面议

分体式铝壳NL10 优势

电子仪器外壳

此外壳的外型尺寸是:147×55.结构是上下分体式.处理工艺可以是氧化,拉丝等.长度,颜色,开孔加工等可根据客户要求.   颜色:银白. 处理工艺:喷沙氧化 这壳可插PCB板宽度为:115MM

会员年限:17年

永锢

8888888

1+ ¥88.00

健体2健体2 优势

其他未分类

会员年限:20年

1000

1+ 面议

SPT204A 优势

测量电压

会员年限:20年

模拟器件

1000

1+ ¥10.00

001

会员年限:18年

模拟器件

1000000

1+ ¥1000.00

AD620AD

会员年限:21年

模拟器件

34

1+ 面议

体声波滤波器/ 优势

其他未分类

项目公司于2020年成立。一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司;在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地;致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施。技术优势分析——材料革新:◆通过高钪掺杂氮化铝薄膜实现超大带宽提出压电薄膜分步层级沉积技术,有效的调节ScAlN薄膜的晶核形成及晶体取向,降低薄膜残余应力,获得成分均一的大尺寸ScAlN薄膜材料。◆基于LN/LT的硅基压电POI衬底提出键合-剥离一体化技术,有效降低异质键合结构剥离退火热应力,提高压电薄膜完整性和均一性。技术优势分析——算法革新:◆高优值体声波谐振器设计——通过自动演进算法产生超低杂波谐振器提出自动演进算法,计算出高频伪模态抑制谐振器,并进行分析,有效抑制高频杂波伪模态。技术优势分析——结构革新:◆高优值体声波谐振器设计——设计新型厚度剪切模式谐振器结构提出新型横向场激励体声波谐振器,有效提高K和Q值,实现高优值。◆大带宽薄膜体声波滤波器研制——设计新型厚度剪切模式谐振器结构采用ScAlN薄膜,通过优化薄膜晶体质量及滤波器拓扑结构,实现大带宽低损耗滤波器。技术优势分析——工艺革新:◆提出分布工艺法优化制程基于分步工艺力学,薄膜封装工艺,提高良率。

会员年限:4年

1

1+ 面议

液体传感器BY808

AR和游戏

会员年限:17年

80

1+ ¥10.00

稳压管 现货

其它芯片

封装: DIP 批号: 11+

会员年限:18年

意法半导体

200

1+ ¥30.00

晶振11.0592M 优势

晶振(普通)

柜台现货,低价售出

会员年限:17年

圆柱晶振

25

1+ 面议

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